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转载 与DBS硬件相关的感染发生因素

杨卫东 主任医师 天津医科大学总医院 神经外科
2018-04-17 50人已读
杨卫东 主任医师
天津医科大学总医院

脑深部电刺激(deep brain stimulation,DBS)是治疗某些神经和精神疾病的有效方法。与DBS硬件有关的感染可引起严重的并发症,文献报道DBS相关的感染率高达23%。目前,对导致感染的主要危险因素和可行的预防措施仍不确定。美国爱荷华州爱荷华大学公共卫生学院神经外科的Kingsley O. Abode-Iyamah等对此进行研究,结果发表在2018年3月的《J Neurosurg》在线上。

该研究纳入2005年12月至2015年9月期间在爱荷华大学医院和诊所、由一名外科医生(J.D.W.G.)操作的DBS植入手术患者,所有患者均为第一次接受DBS植入、年龄≥18岁的成人。排除曾做过电极调整或刺激发生器调换者。收集患者的人口统计学、临床症状特征、手术过程和手术部位感染(surgical site infection,SSI)等资料。按国家健康安全网(NHSN)的要求,在植入DBS后随访90天和1年时,分析与DBS相关感染发生的危险因素和伤口内预防性使用万古霉素粉剂(vancomycin powder,VP)的疗效。

共有242例成年患者接受245例次DBS手术,放置464个电极,多数患者接受双侧电极植入。在245例次手术中,9个(3.7%)手术部位在DBS放置90天内发生感染,16个(6.5%)伤口在术后1年内发生感染。最常见的SSI病原菌是革兰氏阳性细菌。临床表现和手术情况在发生感染与未发生感染的患者之间没有差别(表1)。
术中在切口上使用VP预防性治疗的患者,SSI的发生率为3.3%(OR=0.32;95% CI,0.10-1.02;P=0.04);而未接受局部VP治疗患者的伤口感染比例为9.7%。控制患者性别后,VP与降低SSI风险之间的相关性未达到预定的显著目标(调整OR=0.32;95% CI,0.10-1.03;P=0.06)。DBS分阶段植入和一期植入患者SSI的发生率相似。

作者指出,该研究结果表明,临床特征以及手术相关因素与SSI的发生风险无关;但术中VP使用可能有助于降低SSI风险。DBS手术90天后仍有较高的SSI发生率,随访继续至1年以上,对控制与DBS相关的感染有利。
Abode-Iyamah KO, et al. J Neurosurg. 2018 Mar 9:1-10. doi: 10.3171/2017.9.JNS1780. [Epub ahead of print]

表1. 手术部位感染和未感染患者的情况比较。

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杨卫东 主任医师

天津医科大学总医院 神经外科

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